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发现了一批新型的一维材料，苏电算通算暂算并找到部分一维材料与二维材料结构图之间的子图同构关联。2、力市力市量结通过图论方法获得晶体材料结构图的独立联通单元，通过独立联通单元的维数定义材料的维数。

4、场结场结对于具有不同拓扑结构的一维材料的结构类型进行统计。该研究得到了广东省软科学研究计划项目、知2总电化学与精细化工广东省实验室、深圳市科技计划以及广东省基础和应用基础研究基金的支持。度电蓝框和红框分别表示一维材料Sn2S3和SnBr2的结构与SnS2的结构继承关系。

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(e)通过调整材料的组成元素、年江1年几何结构和维度来调节材料的电子结构示意图。

通过研究此类材料边缘处的电子态密度和电子局域函数，苏电算通算暂算此处以一维材料Sn2S3和SnBr2为例，发现其深能级孤对s电子的存在。然后，力市力市量结使用高斯混合模型对检测到的缺陷结构进行无监督分类（图3-12），并显示分类结果可以与特定的物理结构相关联。

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